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中國電科成功實(shí)現大尺寸碳化硅單晶片激光剝離

發(fā)布時(shí)間：

2022-08-17

概要：

  近日，中國電科2所激光剝離項目取得突破性進(jìn)展，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實(shí)現了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離。
  2所激光剝離設備有機結合激光精密加工和晶體可控剝離，實(shí)現半導體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時(shí)間減少50%以上，并實(shí)現晶體加工整線(xiàn)的高度自動(dòng)化。
 
  下一步，2所激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動(dòng)化、低能耗化”為目標，迅速開(kāi)展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動(dòng)化設備貫線(xiàn)，為解決第三代半導體關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題貢獻力量。

關(guān)鍵詞：